FQB1N60TM
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Fairchild/ON Semiconductor FQB1N60TM
| Artikelnummer: | FQB1N60TM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Fairchild/ON Semiconductor FQB1N60TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQB1N60TM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB) Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 Ohm @ 600mA, 10V Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 40W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Tc) FQB1N60TM Einzelheiten PDF [English] FQB1N60TM PDF - EN.pdf -
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